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產(chǎn)品分類(lèi)高溫真空探針臺KT-Z1604TZ,可單選高溫或低溫等相應組件,溫度可達到400℃。以便測量分析溫度變化時(shí)芯片性能參數的變化。腔體內被測芯片在真空環(huán)境中有效避免易受氧化半導體器件接觸空氣所帶來(lái)的測試結果誤差。
真空手動(dòng)探針臺變溫射頻探針熱臺該腔體設計有進(jìn)氣口和抽真空接口其真空度用機械泵可達<5Pa分子泵可達<-3Pa。真空信號連接處使用高級真空電極信號接頭,保證氣密性及抗干擾性能。使用時(shí)將需將待檢測的器件方在加熱臺面,探針頂尖處由3軸可移動(dòng)探針手動(dòng)調節移動(dòng)至被測試器件的引腳處,外部信號線(xiàn)連接測試儀器來(lái)測試電學(xué)信號。